研究内容

任意ポテンシャルに閉じ込められた電子の電子密度計算
 2次元において、任意のポテンシャルに閉じ込められた
電子のエネルギー準位を1電子近似の範囲内で、 交換・相関エネルギーを取り込んで計算することができるようになった。
 具体的には密度汎関数法(DFT)によって局所密度近似によって交換・相関効果を取り入れ、 Kohn-sham方程式をセルフコンシステントに解くことによって、任意ポテンシャルに閉じ込められた 電子の基底状態を得ることができた。

今後、ポテンシャルの対称性が電子の基底状態や交換・相関効果に及ぼす影響を調査する。 図1は調和振動子型ポテンシャルに電子を32個詰めた場合の基底状態の電子密度分布のコンターマップである。

> 電子相関理論に関して
> 準粒子の厳密なエネルギー計算に関して






図1:電子の交換相関効果を考慮した調和振動子型ポテンシャルに閉じ込められた電子の密度分布


研究内容
・ トップダウン系とボトムアップの接続の基礎
・ 2次元電子系の電子相関
・ 準粒子の厳密なエネルギー計算
・ 任意ポテンシャルに閉じ込められた電子の電子密度計算
・ 量子十字構造素子のトランスポート理論
・ スピン量子十字構造素子のトランスポート理論
・ 光電変換デバイスの作製とその評価
・ 高清浄環境の構築


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ナノ構造物性研究分野
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